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BUT18A-PHI

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BUT18A-PHI. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Corrente del collettore: 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 23:25.

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