Transistor

Resistenza BE: 260 Ohms. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Vebo: 5V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Funzione: hFE 60...230, custodia in plastica isolata. Spec info: tempo di caduta 0,8 us. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BU941ZP. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 350V. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. Dissipazione massima Ptot [W]: 155W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Nota: >300. Quantità per scatola: 1

Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: tempo di caduta 625ns. Guadagno hFE massimo: 3400. Guadagno hFE minimo: 500. Corrente del collettore: 10A. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Quantità per scatola: 1. Spec info: 360-450V Clamping

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Spec info: HV-POWER

Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Corrente del collettore: 30A. Ic(impulso): 60A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tecnologia multi-epitassiale planare ad alta tensione". Tf(massimo): 0.1us. Tf(min): 0.05us. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Vebo: 7V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Transistor di potenza a commutazione rapida ad alta tensione

Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 14. Guadagno hFE minimo: 7. Corrente del collettore: 14A. Ic(impulso): 18A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 220 ns. Tf(min): 110 ns. Alloggiamento: ISOWATT218FX. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218-ISO. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Vebo: 10V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: hi-res, monitor 19. Spec info: Icmax--18A <5mS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Transistore a commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 14. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 16A. Ic(impulso): 22A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 210 ns. Tf(min): 110 ns. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218 ( SOT93 ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Vebo: 10V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Icm.22A <5ms

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Alta risoluzione . Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Spec info: MONITOR

Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Alta risoluzione . Guadagno hFE massimo: 9. Guadagno hFE minimo: 2.5. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 12A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 44W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 400 ns. Tf(min): 200 ns. Alloggiamento: ISOWATT218FX. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Vebo: 10V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: MONITOR

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Alta risoluzione . Guadagno hFE massimo: 6. Guadagno hFE minimo: 4. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Tf (tipo): 190 ns. Alloggiamento: ISOWATT218. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Vebo: 10V. Quantità per scatola: 1. Spec info: MONITOR. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Alta risoluzione . Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 57W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Nota: MONITOR. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ts 2.1/3.1us

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 13.5A. Idss (massimo): 13.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.12 Ohms. Tecnologia: V-MOS. Voltaggio Vds(max): 50V. Quantità per scatola: 1

C(in): 750pF. Costo): 90pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Power MOSFET SMPS. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 20uA. ID (min): 2uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Rds sulla resistenza attiva: 2.1 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 10 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS

C(in): 2230pF. Costo): 510pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 62 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 347A. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 75A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 0.05uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 166W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 84 ns. Td(acceso): 18 ns. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-404. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.009 Ohms. Protezione GS: NINCS

C(in): 1200pF. Costo): 290pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 45 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 217A. ID (T=100°C): 38A. ID (T=25°C): 54A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 0.05uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 118W. Rds sulla resistenza attiva: 17m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 15 ns. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-404. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 440pF. Costo): 90pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 33 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 81A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 0.05uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: TrenchMOS logic level POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-78 ( TO220AB ). Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 10V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Rds sulla resistenza attiva: 0.064 Ohms. Funzione: Settore automobilistico, commutazione di potenza, motore da 12 V e 24 V. Spec info: IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 32. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Tf (tipo): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Funzione: alta tensione, commutazione rapida. Spec info: TO-220. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 6A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 9V. Funzione: commutazione rapida ad alta tensione, per alimentatori switching. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: 14. Guadagno hFE minimo: 6. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 150us. Tf(min): 80us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 500V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione rapida per alimentatori switching

Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 13.5. Guadagno hFE minimo: 8:1. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 150 ns. Tf(min): 80 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 500V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SMPS S-L. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 100 ns. Tf(min): 0.8us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Vebo: 9V. Quantità per scatola: 1. Spec info: commutazione ad alta velocità

Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione rapida per l alimentazione in modalità switching. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 4. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 100 ns. Tf(min): 50 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 850V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.13V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFMS 8A, tp <5 ms

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SMPS S-L. Corrente del collettore: 7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Spec info: commutazione ad alta velocità

Costo): 50pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 12 MHz. Funzione: SMPS S-L. Guadagno hFE massimo: 34. Guadagno hFE minimo: 14. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220AB CASE 221A-09. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 9V. Quantità per scatola: 1. Spec info: commutazione ad alta velocità. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS