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BUK455-600B

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BUK455-600B. C(in): 750pF. Costo): 90pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Power MOSFET SMPS. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 20uA. ID (min): 2uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Rds sulla resistenza attiva: 2.1 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 10 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 10:25.

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2SK1117
C(in): 1400pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 460 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 300uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Rds sulla resistenza attiva: 0.95 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 8.5 ns. Td(acceso): 4 ns. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS
2SK1117
C(in): 1400pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 460 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 300uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Rds sulla resistenza attiva: 0.95 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 8.5 ns. Td(acceso): 4 ns. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS
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Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 2.8A. I...
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Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 600V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1
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Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 600V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1
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