Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
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1 - 3 | 2.67€ | 3.26€ |
Qnéuantità | U.P | |
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1 - 3 | 2.67€ | 3.26€ |
2SK1117. C(in): 1400pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 460 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 300uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Rds sulla resistenza attiva: 0.95 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 8.5 ns. Td(acceso): 4 ns. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 17:25.
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