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2SB1240

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2SB1240. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 2A. Nota: hFE 180...390. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Spec info: 2SB1240R. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 02:25.

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Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 560. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 4A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1207
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