Transistor

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: 13. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 25A. Nota: Tensione di isolamento 2500V. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza. Tf(massimo): 0.5us. Tf(min): 0.35us. Alloggiamento: SOT-199. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-199. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 13.5V. Funzione: Commutazione ad alta tensione e ad alta velocità. Spec info: Switching times (16kHz line deflection circuit)

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: 8:1. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 25A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.22us. Tf(min): 0.16us. Alloggiamento: SOT-199. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-199. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 13.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: MONITOR. Funzione: TV-HA, hi-res (F)

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 25A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor di potenza al silicio. Tf(massimo): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 13.5V. Numero di terminali: 3. Funzione: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA Hi-re. Corrente del collettore: 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOT-199. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-199. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Spec info: (F)

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA Hi-re. Corrente del collettore: 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1

Costo): 145pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA Hi-re. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 30A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.35us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P(H)IS. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA hi-re. Corrente del collettore: 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Alloggiamento: SOT-199. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Spec info: SOT199 (F)

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA hi-re. Corrente del collettore: 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Spec info: SOT399 (F)

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA hi-re (F). Corrente del collettore: 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA hi-re (F). Corrente del collettore: 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 16A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Spec info: 1.4...1.8us

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 825V. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ts 4.8us, Tf 0.4us

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 825V. Quantità per scatola: 1. Spec info: 4.8us

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 825V. Nota: MONITOR. Quantità per scatola: 1. Spec info: 7.4us

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor di potenza. Corrente del collettore: 12A. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1700V. Nota: MONITOR 16KHz. Quantità per scatola: 1. Spec info: Rbe 70 Ohms, SOT199 (TO-247F)

Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: MONITOR 16KHz. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 30A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza. Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.14us. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Tipo di transistor: NPN. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1700V. Vebo: 7.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 825V. Nota: MONITOR. Quantità per scatola: 1. Spec info: 2.5us

Funzione: VHR758 EV. Quantità per scatola: 1. Diodo CE: sì

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 160V/100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 6A. Dissipazione massima Ptot [W]: 25W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 280V/150V. Corrente collettore Ic [A], max.: 6A. Dissipazione massima Ptot [W]: 25W

Tipo di transistor: transistor di potenza Darlington. Polarità: NPN. Tipo: transistor Darlington. Tensione collettore-emettitore VCEO: 600V. Corrente del collettore: 10A. Potenza: 175W. Frequenza massima: 10MHz. Alloggiamento: TO-3

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 6 MHz. Funzione: TV-HA. Guadagno hFE massimo: 20. Guadagno hFE minimo: 12:1. Corrente del collettore: 7A. Ic(impulso): 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Corrente del collettore: 7A. Alloggiamento: TO-220. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 400V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 200V. Potenza: 60W. Frequenza massima: 10MHz

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 175V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W