Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BU2525DF

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BU2525DF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA Hi-re. Corrente del collettore: 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.

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Costo): 145pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA Hi-re. Corrente del collettore: 1...
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Costo): 145pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA Hi-re. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 30A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.35us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P(H)IS. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
BU2525DX
Costo): 145pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA Hi-re. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 30A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.35us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P(H)IS. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
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