BUH1215

BUH1215. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Transistore a commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 14. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 16A. Ic(impulso): 22A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 210 ns. Tf(min): 110 ns. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218 ( SOT93 ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Vebo: 10V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Icm.22A <5ms. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 05:25.