Transistor

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BTS4141N. Tensione drain-source Uds [V]: 45V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.4A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 0.5A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 100us. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 150us. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.4W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Marcatura del produttore: BTS432E2. Tensione drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 300us. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 80us. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220/5. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 5. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK/5. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BTS432E2-SMD. Tensione drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 300us. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 80us. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK/5. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Tensione drain-source Uds [V]: 41V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.8A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.072 Ohm @ 2A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 200us. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 250us. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK/7. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 6. Marcatura del produttore: S50010E. Tensione drain-source Uds [V]: 18V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 40A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohm @ 40A. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: P-DSO-12. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 12:1. Marcatura del produttore: BTS5210L. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.4A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 2.4A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 250us. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 270us. Dissipazione massima Ptot [W]: 3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: P-DSO-12. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 12:1. Marcatura del produttore: BTS5215L. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 2A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 250us. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 270us. Dissipazione massima Ptot [W]: 3.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK/7. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BTS611L1. Tensione drain-source Uds [V]: 34V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.8A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 400us. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 400us. Dissipazione massima Ptot [W]: 36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK/5. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BTS6142D. Tensione drain-source Uds [V]: 38V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 7.5A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 600us. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 600us. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: P-DSO-20. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BTS721L1. Tensione drain-source Uds [V]: 34V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.9A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 2A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 400us. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 400us. Dissipazione massima Ptot [W]: 3.7W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Funzione: "Interruttore di alimentazione intelligente sul lato alto". Uscita: 2db N-MOS 43V 5.5A. Numero di terminali: 20. Rds sulla resistenza attiva: 30 milliOhms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-DSO20. VCC: 5...34V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 2.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Diodo CE: sì

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L TV-HA. Corrente del collettore: 7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 130V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: 7. Guadagno hFE minimo: 4. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 15A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza. Tf(massimo): 0.6us. Tf(min): 0.4us. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Vebo: 13.5V

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 330V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247FP. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: (F). Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Spec info: 33 Ohms

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 9A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247FP. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: VCE(sat) 5.0V. Corrente del collettore: 9A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF ( SOT399 ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Spec info: adatto per alimentare televisori SONY. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOT-199. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-199. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V