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Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247FP, 700V - BU2508AF

Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247FP, 700V - BU2508AF
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Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247FP, 700V - BU2508AF. Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247FP, 700V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247FP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 05:25.

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BU2508AX

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BU2508AX
Transistor NPN, 8A, 700V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V
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Transistor NPN, 8A, 700V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V
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FJAF6810A
Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 10A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: J6810A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Funzione: commutazione ad alta velocità. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 10A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: J6810A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Funzione: commutazione ad alta velocità. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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