Transistor

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L TV-HA. Corrente del collettore: 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 850V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 375V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L TV-HA. Corrente del collettore: 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 900V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L TV-SN. Corrente del collettore: 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 800V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 375V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA/Monitor. Corrente del collettore: 8A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA/Monitor. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOT-199. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-199. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA/Monitor. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA/Monitor. Guadagno hFE massimo: 7.3. Guadagno hFE minimo: 4.2. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 400 ns. Tf(min): 300 ns. Alloggiamento: SOT-199. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-199. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 13.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Rbe 25 Ohms

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV/Monitor. Corrente del collettore: 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 55W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Spec info: CTV-HA (isolato). Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV/Monitor. Corrente del collettore: 16A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Alloggiamento: SOT-430. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-430. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Spec info: CTV-HA

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA. Corrente del collettore: 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 2.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 2.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA SMPS. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Spec info: TO-220AB. Nota: Vce(sat) 1.0V, Vbe(sat) 1.3V

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SMPS (F). Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Spec info: TO-220F (SOT186)

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ITO-218. Custodia (standard JEDEC): SOT-199. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BU508AF. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 700V. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. Dissipazione massima Ptot [W]: 34W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 34W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1

Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 1500V. Corrente del collettore: 8A. Potenza: 125W. Alloggiamento: TO-247

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 34W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ISOWATT-218. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BU508DFI. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 700V. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 7 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-SN. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 480V. Quantità per scatola: 1

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 330V/200V. Corrente collettore Ic [A], max.: 7A. Dissipazione massima Ptot [W]: 90W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 330V/ 200V. Corrente collettore Ic [A], max.: 7A. Dissipazione massima Ptot [W]: 90W

Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Transistor Darlington, Alta tensione e commutazione rapida. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3

Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FH. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Spec info: TO-220FH

Resistenza BE: 42 Ohms. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: 230. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Vebo: 5V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 2. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)