BU4525AX
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.46€ | 5.44€ |
| 5 - 6 | 4.24€ | 5.17€ |
| Qnéuantità | U.P | |
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| 5 - 6 | 4.24€ | 5.17€ |
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BU4525AX. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV/Monitor. Corrente del collettore: 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 55W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Spec info: CTV-HA (isolato). Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 19:25.
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Costo): 1.6pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione...
Costo): 1.6pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Data di produzione: 2014/17. Guadagno hFE massimo: 8.5. Guadagno hFE minimo: 6. Corrente del collettore: 14A. Ic(impulso): 21A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Costo): 1.6pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Data di produzione: 2014/17. Guadagno hFE massimo: 8.5. Guadagno hFE minimo: 6. Corrente del collettore: 14A. Ic(impulso): 21A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
FJAF6812
Condizionamento: tubo di plastica. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: "Deflession...
Condizionamento: tubo di plastica. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: "Deflessione orizzontale del display a colori ad alta tensione" . Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: J6812. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Nota: serigrafato J6812. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo CE: sì
Condizionamento: tubo di plastica. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: "Deflessione orizzontale del display a colori ad alta tensione" . Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: J6812. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Nota: serigrafato J6812. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo CE: sì
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