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2SK2699

2SK2699
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2SK2699. C(in): 2600pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 460 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K2699. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.50 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 65 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: TO-3P ( TO3P ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.

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STW13NK60Z
Tipo di canale: N. Alloggiamento: TO-247. Diodo Trr (min.): 570 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 50mA. ID (min): 1mA. Marcatura sulla cassa: W13NK60Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 61 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Corrente di assorbimento massima: 13A. Potenza: 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.55 Ohms. Numero di terminali: 3. Spec info: CAPACITÀ dv/dt ESTREMAMENTE ELEVATA . Tensione drain-source (Vds): 600V. Protezione GS: sì
STW13NK60Z
Tipo di canale: N. Alloggiamento: TO-247. Diodo Trr (min.): 570 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 50mA. ID (min): 1mA. Marcatura sulla cassa: W13NK60Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 61 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Corrente di assorbimento massima: 13A. Potenza: 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.55 Ohms. Numero di terminali: 3. Spec info: CAPACITÀ dv/dt ESTREMAMENTE ELEVATA . Tensione drain-source (Vds): 600V. Protezione GS: sì
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C(in): 3900pF. Costo): 440pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 610 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 64A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 16A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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