Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Semiconduttori Transistor FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V - 2SK2699

Transistor a canale N, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V - 2SK2699
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1 - 4 4.31€ 5.26€
5 - 9 4.09€ 4.99€
10 - 24 3.88€ 4.73€
25 - 49 3.66€ 4.47€
50 - 99 3.58€ 4.37€
100 - 197 3.36€ 4.10€
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Transistor a canale N, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V - 2SK2699. Transistor a canale N, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.50 Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO3P ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 2600pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 460 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(imp): 48A. Marcatura sulla cassa: K2699. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 65 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 12:25.

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STW13NK60Z

STW13NK60Z

Transistor a canale N, TO-247, 8A, 13A, 50mA, 0.48 Ohms, TO-247, 600V, 0.55 Ohms, 600V. Alloggiament...
STW13NK60Z
Transistor a canale N, TO-247, 8A, 13A, 50mA, 0.48 Ohms, TO-247, 600V, 0.55 Ohms, 600V. Alloggiamento: TO-247. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 50mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 600V. Rds sulla resistenza attiva: 0.55 Ohms. Tensione drain-source (Vds): 600V. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 570 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 40A. ID (min): 1mA. Marcatura sulla cassa: W13NK60Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 61 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Corrente di assorbimento massima: 13A. Potenza: 150W. Numero di terminali: 3. Spec info: CAPACITÀ dv/dt ESTREMAMENTE ELEVATA . Protezione GS: sì
STW13NK60Z
Transistor a canale N, TO-247, 8A, 13A, 50mA, 0.48 Ohms, TO-247, 600V, 0.55 Ohms, 600V. Alloggiamento: TO-247. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 50mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 600V. Rds sulla resistenza attiva: 0.55 Ohms. Tensione drain-source (Vds): 600V. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 570 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 40A. ID (min): 1mA. Marcatura sulla cassa: W13NK60Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 61 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Corrente di assorbimento massima: 13A. Potenza: 150W. Numero di terminali: 3. Spec info: CAPACITÀ dv/dt ESTREMAMENTE ELEVATA . Protezione GS: sì
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IRFPC60

IRFPC60

Transistor a canale N, 6A, 16A, 500uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25...
IRFPC60
Transistor a canale N, 6A, 16A, 500uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 16A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 3900pF. Costo): 440pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 610 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 64A. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
IRFPC60
Transistor a canale N, 6A, 16A, 500uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 16A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 3900pF. Costo): 440pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 610 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 64A. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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BTA40-600B
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BTA40-600B
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DAC0808LCN
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STP6NK60Z

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Transistor a canale N, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C...
STP6NK60Z
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1.99€ IVA incl.
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IRFP9140N
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IRF540
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