Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
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1 - 1 | 7.97€ | 9.72€ |
2 - 2 | 7.57€ | 9.24€ |
3 - 4 | 7.17€ | 8.75€ |
5 - 7 | 6.77€ | 8.26€ |
Qnéuantità | U.P | |
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1 - 1 | 7.97€ | 9.72€ |
2 - 2 | 7.57€ | 9.24€ |
3 - 4 | 7.17€ | 8.75€ |
5 - 7 | 6.77€ | 8.26€ |
BU808DFX. Resistenza BE: 42 Ohms. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: 230. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Vebo: 5V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 2. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 19:25.
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