Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218, 700V - BU808DFX-PMC

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218, 700V - BU808DFX-PMC
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Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218, 700V - BU808DFX-PMC. Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218, 700V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Resistenza BE: 260 Ohms. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: hFE 60...230, custodia in plastica isolata. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. Spec info: tempo di caduta 0,8 us. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Pmc. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 13:25.

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BU808DFX

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Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V. Corrente del collettore: 8A. Allog...
BU808DFX
Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Resistenza BE: 42 Ohms. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: 230. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. RoHS: sì. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Resistenza BE: 42 Ohms. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: 230. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. RoHS: sì. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Vebo: 5V
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