Transistor NPN BU808DFX, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V

Transistor NPN BU808DFX, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
8.37€
5-9
7.67€
10-24
7.01€
25-49
6.58€
50+
5.84€
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 7

Transistor NPN BU808DFX, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: 230. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 10A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. Quantità per scatola: 2. Resistenza BE: 42 Ohms. RoHS: sì. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Tf(massimo): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Transistor Darlington?: sì. Vcbo: 1400V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 12:31

Documentazione tecnica (PDF)
BU808DFX
25 parametri
Corrente del collettore
8A
Alloggiamento
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Custodia (secondo scheda tecnica)
ISOWATT218FX
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
700V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
FT
kHz
Guadagno hFE massimo
230
Guadagno hFE minimo
60
Ic(impulso)
10A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
62W
Quantità per scatola
2
Resistenza BE
42 Ohms
RoHS
Spec info
ICM--(tp < 5ms)
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
1.6V
Tf(massimo)
0.8us
Tf(min)
0.2us
Tipo di transistor
NPN
Transistor Darlington?
Vcbo
1400V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics

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