Transistor

C(in): 20pF. Costo): 9pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 11 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: serigrafia/codice SMD SA. Id(imp): 680mA. ID (T=25°C): 170mA. Idss (massimo): 46.4k Ohms. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: SA. Equivalenti: BSS123-7-F. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225mW. Rds sulla resistenza attiva: 6 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: Modalità di miglioramento del livello logico del transistor a effetto di campo. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 2.6V. Vgs(esimo) min.: 1.6V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: SA. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.6V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 20pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: SHS. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.021A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 500 Ohms @ 0.016A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2.7V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 9.2 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 21 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 28pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: SRs. Tensione drain-source Uds [V]: 240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1.8V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 5 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 20 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 77pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 27pF. Costo): 13pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 0.88A. ID (T=25°C): 0.22A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.5uA. Nota: serigrafia/codice SMD SS. Marcatura sulla cassa: SS. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.36W. Rds sulla resistenza attiva: 0.7 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 2.5 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 50V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 1.8V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Spec info: Modalità di miglioramento del livello logico. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 50pF. Costo): 25pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 1A. ID (T=25°C): 0.2A. ID (min): 0.5uA. Nota: serigrafia/codice SMD SS. Marcatura sulla cassa: SS. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Rds sulla resistenza attiva: 1.4 Ohms. RoHS: sì. Peso: 0.008g. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 50V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 1.5V. Vgs(esimo) min.: 0.5V. Spec info: Modalità di miglioramento del livello logico. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: SS. Tensione drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 200mA. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 5 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 36ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 27pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: J1. Tensione drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.2A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 20 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 50pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: STs. Tensione drain-source Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.03A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 30 Ohms @ 15mA. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1.4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.7 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 43 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 76pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.54A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.43 Ohm @ 0.27A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1.6V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 31 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 75pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 25pF. Costo): 15pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Direct interface to C-MOS, TTL, etc. Id(imp): 520mA. ID (T=100°C): 75mA. ID (T=25°C): 130mA. Idss (massimo): 46.4k Ohms. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 11W. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Rds sulla resistenza attiva: 6 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 7 ns. Td(acceso): 3 ns. Tecnologia: Transistor D-MOS verticale in modalità potenziamento . Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio Vds(max): 50V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Spec info: serigrafia/codice SMD 11W. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 13. Tensione drain-source Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 3 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 7 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 45pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di canale: N-P. Marcatura sulla cassa: KNP. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: MOSFET in modalità di potenziamento della coppia complementare. Alloggiamento: SOT-363 ( SC-88 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-363. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 6. Nota: serigrafia/codice SMD KNP. Funzione: td(on) 7&10ns, td(off) 11&18ns

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: VS. Tensione drain-source Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.18A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.5 Ohms @ -0.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2.1V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 48 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Capacità del gate Ciss [pF]: 36pF

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: Pd (dissipazione di potenza, massima). Tensione drain-source Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 3.6 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 12 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Capacità del gate Ciss [pF]: 36pF

C(in): 80pF. Costo): 15pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 1A. ID (T=25°C): 0.25A. Idss (massimo): 1000uA. ID (min): 100uA. Marcatura sulla cassa: SS88. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Rds sulla resistenza attiva: 5 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 5 ns. Tecnologia: Modalità di miglioramento . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 240V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 0.6V. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

C(in): 25pF. Costo): 8.5pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 30 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 0.8A. ID (T=25°C): 0.19A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 0.01uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. Rds sulla resistenza attiva: 5 Ohms. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 3 ns. Tecnologia: Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT54. Voltaggio Vds(max): 100V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: Very fast switching, Logic level compatible. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 25pF. Costo): 8.5pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 30 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione molto veloce. Id(imp): 0.8A. ID (T=100°C): 0.12A. ID (T=25°C): 0.19A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 0.01uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. Rds sulla resistenza attiva: 5 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 3 ns. Tecnologia: "transistor a effetto di campo in modalità potenziata". Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: compatibile con il livello logico. Protezione GS: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 400 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 250mA. Marcatura sulla cassa: B2. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.225mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf(massimo): 18 ns. Tf(min): 12us. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 12V. Spec info: serigrafia/codice SMD B2

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 5W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Spec info: TO39

Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 7A. Potenza: 50W. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Tensione drain-source (Vds): 60V

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BTS132. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 12A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 40 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 250 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1400pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Tensione drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 38us. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45us. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.78W. Famiglia di componenti: low-side MOSFET. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Tensione drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 38us. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45us. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.78W. Famiglia di componenti: low-side MOSFET. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: TO-263/5. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 5. Marcatura del produttore: BTS410E2. Tensione drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.22 Ohms @ 1.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 125us. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 85us. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C