BST82

BST82. C(in): 25pF. Costo): 8.5pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 30 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione molto veloce. Id(imp): 0.8A. ID (T=100°C): 0.12A. ID (T=25°C): 0.19A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 0.01uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. Rds sulla resistenza attiva: 5 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 3 ns. Tecnologia: "transistor a effetto di campo in modalità potenziata". Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: compatibile con il livello logico. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 08:25.