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BSS138

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Qnéuantità (Set da 10) Iva esclusa IVA incl.
1 - 1 0.34€ 0.41€
2 - 2 0.33€ 0.40€
3 - 4 0.31€ 0.38€
5 - 9 0.29€ 0.35€
10 - 24 0.27€ 0.33€
25 - 49 0.26€ 0.32€
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Qnéuantità (Set da 10) U.P
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Set da 10

BSS138. C(in): 27pF. Costo): 13pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 0.88A. ID (T=25°C): 0.22A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.5uA. Nota: serigrafia/codice SMD SS. Marcatura sulla cassa: SS. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.36W. Rds sulla resistenza attiva: 0.7 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 2.5 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 50V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 1.8V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Spec info: Modalità di miglioramento del livello logico. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 08:25.

Prodotti equivalenti :

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BSS138-7-F

BSS138-7-F

C(in): 50pF. Costo): 25pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 30...
BSS138-7-F
C(in): 50pF. Costo): 25pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 1A. ID (T=25°C): 0.2A. ID (min): 0.5uA. Nota: serigrafia/codice SMD SS. Marcatura sulla cassa: SS. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Rds sulla resistenza attiva: 1.4 Ohms. RoHS: sì. Peso: 0.008g. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 50V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 1.5V. Vgs(esimo) min.: 0.5V. Spec info: Modalità di miglioramento del livello logico. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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C(in): 50pF. Costo): 25pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 1A. ID (T=25°C): 0.2A. ID (min): 0.5uA. Nota: serigrafia/codice SMD SS. Marcatura sulla cassa: SS. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Rds sulla resistenza attiva: 1.4 Ohms. RoHS: sì. Peso: 0.008g. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 50V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 1.5V. Vgs(esimo) min.: 0.5V. Spec info: Modalità di miglioramento del livello logico. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
Set da 10
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