Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.28€ | 0.34€ |
10 - 24 | 0.27€ | 0.33€ |
25 - 49 | 0.25€ | 0.31€ |
50 - 99 | 0.24€ | 0.29€ |
100 - 249 | 0.14€ | 0.17€ |
250 - 499 | 0.13€ | 0.16€ |
500 - 40635 | 0.12€ | 0.15€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.28€ | 0.34€ |
10 - 24 | 0.27€ | 0.33€ |
25 - 49 | 0.25€ | 0.31€ |
50 - 99 | 0.24€ | 0.29€ |
100 - 249 | 0.14€ | 0.17€ |
250 - 499 | 0.13€ | 0.16€ |
500 - 40635 | 0.12€ | 0.15€ |
BSS84LT1G-PD. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: Pd (dissipazione di potenza, massima). Tensione drain-source Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 3.6 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 12 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Capacità del gate Ciss [pF]: 36pF. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 08:25.
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