Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BSS123-ONS

BSS123-ONS
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2 - 2 1.30€ 1.59€
3 - 4 1.23€ 1.50€
5 - 9 1.16€ 1.42€
10 - 24 1.09€ 1.33€
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BSS123-ONS. C(in): 20pF. Costo): 9pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 11 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: serigrafia/codice SMD SA. Id(imp): 680mA. ID (T=25°C): 170mA. Idss (massimo): 46.4k Ohms. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: SA. Equivalenti: BSS123-7-F. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225mW. Rds sulla resistenza attiva: 6 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: Modalità di miglioramento del livello logico del transistor a effetto di campo. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 2.6V. Vgs(esimo) min.: 1.6V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 01:25.

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C(in): 23pF. Costo): 6pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 11 ns. Tipo...
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C(in): 23pF. Costo): 6pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 11 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: serigrafia/codice SMD SA. Id(imp): 600mA. ID (T=25°C): 150mA. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: SA. Equivalenti: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Rds sulla resistenza attiva: 3.5 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 3 ns. Tecnologia: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 2.8V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
BSS123
C(in): 23pF. Costo): 6pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 11 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: serigrafia/codice SMD SA. Id(imp): 600mA. ID (T=25°C): 150mA. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: SA. Equivalenti: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Rds sulla resistenza attiva: 3.5 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 3 ns. Tecnologia: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 2.8V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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