FDC642P-F085

FDC642P-F085. C(in): 630pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 17 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 250uA. Nota: serigrafia/codice SMD FDC642P. Marcatura sulla cassa: FDC642P. Numero di terminali: 6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.2W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0525 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 23.5 ns. Td(acceso): 23 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: SSOT. Custodia (secondo scheda tecnica): SUPERSOT-6. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 20V. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Vgs(esimo) massimo: 1.5V. Vgs(esimo) min.: 0.4V. Funzione: Interruttore di carico, Protezione della batteria. Spec info: Faible charge de grille (6.9nC typique). Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 05:25.