FDV304P

FDV304P. C(in): 63pF. Costo): 34pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 1.5A. ID (T=100°C): 0.87 Ohms @ -0.5A. ID (T=25°C): 0.46A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 304. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Rds sulla resistenza attiva: 1.22 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 25V. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Vgs(esimo) massimo: 1.5V. Vgs(esimo) min.: 0.65V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Voltaggio del gate operativo fino a 2,5 V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 05:25.