Transistor

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BSN20. Tensione drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.173A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 15 Ohms @ 0.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 25pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.83W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 250pF. Costo): 88pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 69 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 100nA. ID (min): 10nA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 8.3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 6 ns. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.8V. Vgs(esimo) min.: 1V. Tecnologia: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. Protezione GS: NINCS

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BSP125. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.12A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 45 Ohms @ 0.12A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 21 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 130pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.7W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BSP135. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 60 Ohms @ 0.01A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.1V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.1 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 42 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 146pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BSP171P. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.9A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ -1.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 276 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 460pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BSP250.115. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2.8V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 80 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 140 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 250pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.65W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BSP295. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.8A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 1.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1.8V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.1 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 41 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 368pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BSP297. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 0.65A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1.8V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 160 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 300pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BSP316. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.68A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.2 Ohms @ -0.61A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 370pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Interruttore di alimentazione intelligente sul lato alto". Equivalenti: ISP452. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Tipo di transistor: NPN. Spec info: miniPROFET. Diodo CE: sì

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): TO-261AA. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: AS3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Resistenza BE: 150 Ohms. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: corrente continua elevata, driver relè, driver lampada. Guadagno hFE massimo: 2000. Guadagno hFE minimo: 1000. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.25W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BSP50. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): TO-261. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BSP62. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BSP89. Tensione drain-source Uds [V]: 240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.35A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.35A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1.8V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 24 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 140pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BSP92P. Tensione drain-source Uds [V]: -250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.26A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 12 Ohms @ -0.26A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 101 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 104pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Costo): 8pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 350 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 35. Corrente del collettore: 0.8A. Marcatura sulla cassa: U8. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf (tipo): 60 ns. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Tr: 25 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 6V. Spec info: serigrafia/codice CMS U8. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: U8. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: U8. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: hFE 50...300. Corrente del collettore: 0.8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Spec info: serigrafia/codice CMS T8. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

C(in): 90pF. Costo): 12pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Driver a media potenza, solenoidi, relè e attuatori e moduli CC/CC. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 35. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: AR4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf (tipo): 1000 ns. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT89. Tr: 250 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/codice SMD AR4. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 2000. Guadagno hFE minimo: 1000. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 1300 ns. Tf(min): 500 ns. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( SOT-54 ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BSS110. Tensione drain-source Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -170mA. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 10 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 45pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.63W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 23pF. Costo): 6pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 11 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: serigrafia/codice SMD SA. Id(imp): 600mA. ID (T=25°C): 150mA. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: SA. Equivalenti: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Rds sulla resistenza attiva: 3.5 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 3 ns. Tecnologia: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 2.8V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: SA . Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.19A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ 0.15A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1.8V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 3.5 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 11 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 20.9pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: SA. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.17A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 20 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 40pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C