BSP60-115

BSP60-115. Resistenza BE: 150 Ohms. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: corrente continua elevata, driver relè, driver lampada. Guadagno hFE massimo: 2000. Guadagno hFE minimo: 1000. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.25W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BSP50. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 06:25.