Transistor

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 25mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 700 MHz. Funzione: VHF TV-IF. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 35. Corrente del collettore: 100mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Vebo: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Funzione: UHF-V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 900 MHz. Funzione: UHF-M/O. Corrente del collettore: 30mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.15W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-50. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-50. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Frequenza massima: 900 MHz. Alloggiamento: SOT-37. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: UHF-V. Corrente del collettore: 30mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.2W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Quantità per scatola: 1

C(in): 3pF. Costo): 1.2pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni VHF e UHF con tensione di alimentazione 12V. ID (T=25°C): 30mA. Idss (massimo): 18mA. ID (min): 2mA. Marcatura sulla cassa: M90. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Alloggiamento: SOT-143. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-143. Voltaggio Vds(max): 18V. Numero di terminali: 4. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: sì

C(in): 2.3pF. Costo): 0.8pF. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=25°C): 30mA. Idss (massimo): 4mA. ID (min): 2mA. Marcatura sulla cassa: MH. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-143. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-143. Voltaggio Vds(max): 20V. Numero di terminali: 4. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD MH

C(in): 2.1pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni VHF e UHF con tensione di alimentazione 12V. ID (T=25°C): 30mA. Idss (massimo): 15mA. ID (min): 5mA. Marcatura sulla cassa: MOS. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Alloggiamento: SOT-143. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-143. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 12V. Numero di terminali: 4. Quantità per scatola: 1. Costo): 1.1pF. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-143B. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 4. Marcatura del produttore: BF998. Tensione drain-source Uds [V]: 12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Capacità del gate Ciss [pF]: 2.5pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 7GHz. Funzione: Transistor a banda larga VHF/UHF-A 7GHz. Guadagno hFE massimo: 130. Guadagno hFE minimo: 80. Corrente del collettore: 150mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Vcbo: 25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 15V. Vebo: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Costo): 0.7pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 7GHz. Funzione: Per amplificatori d antenna VHF/UHF e applicazioni di comunicazione RF. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 200mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -60...+150°C. Vcbo: 20V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 15V. Vebo: 3V. Numero di terminali: 4. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

C(in): 1.3pF. Costo): 0.7pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8GHz. Funzione: UHF wideband transistor. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 50mA. Marcatura sulla cassa: V3%. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW (total 380mW). RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-143. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-143B. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -60...+150°C. Vcbo: 20V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 10V. Vebo: 2.5V. Numero di terminali: 4. Spec info: serigrafia/codice CMS V3. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

C(in): 1.3pF. Costo): 0.7pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8GHz. Funzione: UHF wideband transistor. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 50mA. Marcatura sulla cassa: %MW. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW (total 380mW). RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-143. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-143B. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 20V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 10V. Vebo: 2.5V. Numero di terminali: 4. Spec info: serigrafia/codice SMD MW. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: VID-L. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): TO-264. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BFN37. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP

C(in): 0.9pF. Costo): 0.28pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8GHz. Funzione: UHF wideband transistor. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 70. Corrente del collettore: 80mA. Marcatura sulla cassa: RC. Pd (dissipazione di potenza, massima): 580mW (total 380mW). RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-143. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-143. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 12V. Vebo: 2V. Numero di terminali: 4. Spec info: serigrafia/codice SMD RC. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Alta risoluzione . Corrente del collettore: 0.3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BFQ252. Nota: Tc.=115°C

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: UHF-A. Corrente del collettore: 0.15A. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 175 MHz. Corrente del collettore: 1.25A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 4W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 36V. Quantità per scatola: 1

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: R7s. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 15V. Corrente collettore Ic [A], max.: 210mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 5GHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.7W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: M2. Tensione drain-source Uds [V]: 25V. Corrente di assorbimento Idss [A] @ Ug=0V: 5mA. Tensione di breakpoint gate-source Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Famiglia di componenti: Transistor JFET a canale N. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 0.64pF. Costo): 0.23pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5GHz. Funzione: Transistor a banda larga da 5 GHz (UHF-A). Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 70. Corrente del collettore: 0.045A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.28W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Vebo: 2.5V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

C(in): 1.2pF. Costo): 0.6pF. Condizionamento: rotolo. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5GHz. Funzione: Transistor a banda larga da 5 GHz (UHF-A). Guadagno hFE massimo: 135. Guadagno hFE minimo: 65. Corrente del collettore: 25mA. Marcatura sulla cassa: P2p. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 20V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 15V. Vebo: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD P2P. Unità di condizionamento: 3000. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P2. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 15V. Corrente collettore Ic [A], max.: 25mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 5GHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: GFs. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 15V. Corrente collettore Ic [A], max.: 45mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 5GHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.28W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C