BFP193E6327

BFP193E6327. C(in): 0.9pF. Costo): 0.28pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8GHz. Funzione: UHF wideband transistor. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 70. Corrente del collettore: 80mA. Marcatura sulla cassa: RC. Pd (dissipazione di potenza, massima): 580mW (total 380mW). RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-143. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-143. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 12V. Vebo: 2V. Numero di terminali: 4. Spec info: serigrafia/codice SMD RC. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 22:25.