Transistor

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1

Costo): 5.5pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Funzione: VID-L. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 300mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 45 MHz. Funzione: VID-L. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 45 MHz. Funzione: VID-L. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Corrente del collettore: 0.03A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BF471. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 50mA. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: VHF/UHF-V. Corrente del collettore: 50mA. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Corrente del collettore: 0.05A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Spec info: TO-93

Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Tensione collettore-emettitore VCEO: -250V. Corrente del collettore: -0.5A. Potenza: 0.8W. Alloggiamento: TO-92

Costo): 1.6pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 550 MHz. Funzione: VHF-V. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 30mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 35V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 4 v. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

C(in): 1.7pF. Costo): 0.8pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: JFET. Funzione: HF-VHF. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 6.5mA. ID (min): 2mA. IGF: 10mA. Marcatura sulla cassa: 20*. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor ad effetto di campo con giunzione di silicio. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 2.2V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.4V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

C(in): 1.7pF. Costo): 0.8pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: JFET. Funzione: HF-VHF. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 15mA. ID (min): 6mA. IGF: 10mA. Marcatura sulla cassa: 21*. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 6mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor ad effetto di campo con giunzione di silicio. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 3.8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1.6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

C(in): 1.7pF. Costo): 0.8pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: JFET. Funzione: HF-VHF. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 25mA. ID (min): 12mA. IGF: 10mA. Marcatura sulla cassa: 22*. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor ad effetto di campo con giunzione di silicio. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 7.8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 3.2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 700 MHz. Funzione: Oscillatore VHF. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 25mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 40V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 4 v. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (standard JEDEC): TO-243. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: DA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 60 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (standard JEDEC): TO-243. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: DB. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 60 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 900 MHz. Funzione: UHF-M/O. Corrente del collettore: 0.03A. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-39. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-39. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 45 MHz. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: UHF-V M/O. Corrente del collettore: 25mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.36W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 15V. Quantità per scatola: 1

Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 50mA. Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: 1V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Quantità per scatola: 1. Spec info: serigrafia/codice SMD

Costo): 1.6pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 50mA. Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: 1W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Quantità per scatola: 1. Spec info: serigrafia/codice SMD 1W. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-202. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 160V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.8W

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90MHz. Corrente del collettore: 50mA. Id(imp): 300mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 7W. RoHS: NINCS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 275V. Vebo: 5V. Quantità per scatola: 1