Transistor

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: alimentatore a commutazione. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 95W. RoHS: NINCS. Td(spento): 3.5us. Td(acceso): 0.5us. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO3. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Vcbo: 750V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Corrente del collettore: 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1

Quantità per scatola: 1

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Corrente collettore Ic [A], max.: 25mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Costo): 3.5pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1100 MHz. Funzione: TV-IF. Corrente del collettore: 100mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: da -55°C a +150°C. Vcbo: 40V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Vebo: 4 v. Resistenza B: transistor NPN. Resistenza BE: RF-POWER. C(in): 25V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Funzione: TV-IF-reVHF. Quantità per scatola: 1

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BF240. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 25mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 150 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Tipo di transistor: Transistor FET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 2mA. Corrente di assorbimento massima: TO-92

C(in): 4pF. Costo): 1.6pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: JFET. Funzione: HF-VHF. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 15mA. ID (min): 6mA. IGF: 10mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 3.8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1.6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

C(in): 4pF. Costo): 1.6pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: JFET. Funzione: HF-VHF. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 25mA. ID (min): 12mA. IGF: 10mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 7.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 3.2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): AM/FM/VHF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BF246A. Tensione drain-source Uds [V]: 25V. Corrente di assorbimento Idss [A] @ Ug=0V: 10mA. Tensione di breakpoint gate-source Ugss [V] @ Uds=0V: -14.5V @ +15V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 39V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 14.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.6V. Famiglia di componenti: Transistor JFET a canale N. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.22W

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: FET. Funzione: per amplificatori RF VHF/UHF. Idss (massimo): 13mA. ID (min): 6mA. IGF: 10mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 0.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: FET. Funzione: per amplificatori RF VHF/UHF. Idss (massimo): 18mA. ID (min): 11mA. IGF: 10mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 0.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Quantità per scatola: 1

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Corrente collettore Ic [A], max.: 25mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 450 MHz. Corrente del collettore: 25mA. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1

Costo): 2pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 500mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 800mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BF421. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 50mA. Ic(impulso): 100mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 830mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BF420. Diodo CE: sì

Costo): 1.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 50mA. Ic(impulso): 100mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Spec info: transistor complementare (coppia) BF423. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 0.05A. Ic(impulso): 100A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BF422

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BF450. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 25mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 350 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( SOT-54 ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 4 v. Numero di terminali: 3. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN. Spec info: feedback capacitance--0.45pF

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 350 MHz. Funzione: Stadi HF e IF nei ricevitori radio. Guadagno hFE massimo: 90. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 25mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 40V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 4 v. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS