Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BF451

BF451
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BF451. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 350 MHz. Funzione: Stadi HF e IF nei ricevitori radio. Guadagno hFE massimo: 90. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 25mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 40V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 4 v. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 19:25.

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BF450

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RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA...
BF450
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BF450. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 25mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 350 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( SOT-54 ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 4 v. Numero di terminali: 3. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN. Spec info: feedback capacitance--0.45pF
BF450
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