Transistor

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10MHz. Funzione: Potenza lineare e commutazione. Guadagno hFE minimo: 750. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 14W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD679A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Corrente del collettore: 4A. Tipo di transistor: transistor di potenza Darlington. Polarità: NPN. Tipo: transistor Darlington. Diodo incorporato: sì. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Potenza: 40W. Alloggiamento: TO-126. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE massimo: 750. Ic(impulso): 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD682. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-225. Custodia (standard JEDEC): TO-225. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD681G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Alloggiamento: TO-126. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Frequenza di taglio ft [MHz]: NF-L. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Tipo di transistor: transistor di potenza Darlington. Polarità: PNP. Tipo: transistor Darlington. Diodo incorporato: sì. Tensione collettore-emettitore VCEO: -100V. Corrente del collettore: -4A. Potenza: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Spec info: transistor complementare (coppia) BD681

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-225. Custodia (standard JEDEC): TO-225. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD682G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Nota: >750. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD809G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 1.5 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 90W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD810G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 1.5 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 90W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 75 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 8W. Alloggiamento: TO-202. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-202; SOT128B. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BD829. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE minimo: 750. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BD902

Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Nota: >750. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BD901

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF/L. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità per scatola: 1. Diodo CE: sì

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Potenza lineare e commutazione. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Resistenza B: transistor di potenza NPN. Resistenza BE: 100V. C(in): 15A. Costo): 90W. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BD912. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF/L. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BD912. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-220AB. Costo): TO-220AB. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Potenza lineare e commutazione. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): +150°C. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BD911. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF/L. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BD911. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità per scatola: 1

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): TO-264. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BDP949. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 3A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): TO-264. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BDP950. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 3A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP

Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 1500. Guadagno hFE minimo: 750. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor Darlington. Tf(massimo): 2.5us. Tf(min): 0.5us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 2.5V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Spec info: transistor complementare (coppia) BDT65C. Diodo BE: sì. Diodo CE: sì

Transistor Darlington?: 1. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Corrente del collettore: 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Funzione: hFE 1000. Spec info: transistor complementare (coppia) BDT64C. Diodo BE: sì. Diodo CE: sì

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Quantità per scatola: 1. Spec info: 130.42144

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BDV64BG. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 1000. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Spec info: transistor complementare (coppia) BDV65B

Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-93. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Funzione: hFE 1000. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BDV65C