Transistor

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 4A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD239C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Alloggiamento: TO-220. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Corrente del collettore: 3A. Potenza: 40W. Frequenza massima: 3MHz. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD242C

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 3A. Ic(impulso): 5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD242C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD241C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD242CG. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 3A. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP

Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD243C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 6A. Dissipazione massima Ptot [W]: 65W. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Corrente del collettore: 6A. Potenza: 65W. Alloggiamento: TO-220. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Transistor di potenza complementare. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 6A. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD244C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD243C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 6A. Dissipazione massima Ptot [W]: 65W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Transistor di potenza complementare. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 6A. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD244C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Potenza: 65W. Frequenza massima: 3MHz. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD244C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 6A. Dissipazione massima Ptot [W]: 65W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Frequenza di taglio ft [MHz]: 15. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD243C

Alloggiamento: TO-220. Resistenza B: transistor di potenza. Resistenza BE: -100V. C(in): -6A. Costo): 65W. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 6A. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD243C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD246C

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD246C

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF/L. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD245C. Diodo CE: sì

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF/L. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD245C. Diodo CE: sì

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 25A. Ic(impulso): 40A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218AB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD250C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Corrente del collettore: 25A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD250C

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Corrente del collettore: 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD249C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Corrente del collettore: 25A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD249C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Corrente del collettore: 25A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD249C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SOT-93. Custodia (standard JEDEC): SOT-93. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD250C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 25A. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 6A. Nota: >750. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Alloggiamento: SOT-82. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 22V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD438. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 32V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 32V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)