Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V - BD250C-ISC
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.32€ | 2.83€ |
| 5 - 9 | 2.20€ | 2.68€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.32€ | 2.83€ |
| 5 - 9 | 2.20€ | 2.68€ |
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Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V - BD250C-ISC. Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Corrente del collettore: 25A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Spec info: transistor complementare (coppia) BD249C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 12:25.
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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-247, 45pF, 100V, 25A, 25A, TO-247, 100V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): 45pF. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 25A. Corrente del collettore: 25A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. RoHS: sì. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP33C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 50A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP35C
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-247, 45pF, 100V, 25A, 25A, TO-247, 100V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): 45pF. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 25A. Corrente del collettore: 25A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. RoHS: sì. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP33C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 50A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP35C
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Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Corrente del collettore: 25A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Spec info: transistor complementare (coppia) BD249C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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