Transistor

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Corrente del collettore: 0.1A. Nota: >120. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BCW69R. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: T1. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: U1. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Costo): 12pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Transistor NPN, Applicazioni AF e commutazione. Guadagno hFE massimo: 63. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 0.8A. Ic(impulso): 1A. Marcatura sulla cassa: EKs. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.33W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...150°C. Vcbo: 125V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.9V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 125V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BCX42. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 12pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Transistor PNP, per applicazioni AF e di commutazione. Guadagno hFE massimo: 63. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 0.8A. Ic(impulso): 1A. Marcatura sulla cassa: DKs. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.33W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...150°C. Vcbo: 125V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.9V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 125V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BCX41. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: DKs. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 125V. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 150 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.33W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-TR. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Spec info: serigrafia/codice SMD AA

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (standard JEDEC): TO-243. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: AD. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (standard JEDEC): TO-243. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: AM. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 125 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: amplificatori audio. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 1.5A. Marcatura sulla cassa: AH. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/codice SMD AH

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: amplificatori audio. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 63. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 1.5A. Nota: serigrafia/codice SMD AK. Marcatura sulla cassa: AK. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BCX56-16

RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: transistor PNP. Resistenza BE: saldatura PCB (SMD). C(in): SOT-89. Costo): TO-243. Diodo CE: componente a montaggio superficiale (SMD). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: amplificatori audio. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 160. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 1.5A. Nota: serigrafia/codice SMD AL. Marcatura sulla cassa: AL. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BCX56-16

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (standard JEDEC): TO-243. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: AL. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 125 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (standard JEDEC): TO-243. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 180 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (standard JEDEC): TO-243. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: bM. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 180 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 1000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: amplificatori audio e video. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 1.5A. Marcatura sulla cassa: BH. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/codice SMD BH

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: amplificatori audio e video. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 63. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 1.5A. Nota: serigrafia/codice SMD BK. Marcatura sulla cassa: BK. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BCX53-10

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (standard JEDEC): TO-243. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BL. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 180 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN. Nota: serigrafia/codice SMD BL. Marcatura sulla cassa: BL. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BCX53-16

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: NF-TR. Guadagno hFE massimo: 630. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 200mA. Marcatura sulla cassa: AK*. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23-3. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: SMD AK* (AKp, AKt, AKW)

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Guadagno hFE massimo: 1000. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 200A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.34W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.75V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-18. Custodia (standard JEDEC): TO-206AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BCY59-9. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Funzione: NF/S. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 32V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 18.5W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 1.5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)