Transistor

Costo): 15pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 145 MHz. Funzione: applicazioni audio, telefonia e automobilistiche. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: BCP52/16. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BCP55-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): TO-264. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BCP53-10. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 120 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +155°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): TO-261. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: AH-10. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP

Costo): 25pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150MHz. Funzione: applicazioni audio, telefonia e automobilistiche. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: BCP 5316. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BCP56-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): TO-261. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: AH. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): TO-261. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 130 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Funzione: applicazioni audio, telefonia e automobilistiche. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: BCP54/16. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BCP51-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 25pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: applicazioni audio, telefonia e automobilistiche. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: BCP 5516. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BCP52-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): TO-264. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BCP56-10. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 120 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +155°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): TO-261. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BH-10. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 130 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Funzione: applicazioni audio, telefonia e automobilistiche. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: BCP56/16. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BCP53-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): TO-261. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BH-10. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 130 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): TO-261. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BH. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 130 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): TO-261. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 60 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): TO-261. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BCP69/25. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 140 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): TO-261. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BCP69. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 140 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: XGs. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.33W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Resistenza B: 10k Ohms. Resistenza BE: 10k Ohms. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Transistor con resistenza di polarizzazione incorporata. Guadagno hFE minimo: 70. Corrente del collettore: 500mA. Marcatura sulla cassa: XCs. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.33W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 1V. Spec info: serigrafia/codice CMS XCs. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistenza B: 4.7k Ohms. Resistenza BE: 4.7k Ohms. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Transistor digitale al silicio PNP. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 500mA. Marcatura sulla cassa: XUs. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.33W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: XHs. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 150 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.33W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor Darlington NPN. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (standard JEDEC): TO-243. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: EF. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 150 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Quantità per scatola: 1. FT: 250 MHz. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Corrente del collettore: 100mA. Marcatura sulla cassa: 3Ls. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-143. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-143. Tipo di transistor: PNP & PNP. Vcbo: 30 v. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Funzione: doppio transistor al silicio PNP . Spec info: serigrafia/codice SMD 3Ls. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 500. Guadagno hFE minimo: 250. Corrente del collettore: 0.1A. Nota: serigrafia /Codice SMD C2. Marcatura sulla cassa: C2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 32V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 32V. Vebo: 5V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Corrente del collettore: 0.1A. Nota: >420. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BCW60RC. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W