Transistor

Costo): 3pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: NF-TR. Guadagno hFE massimo: 600. Guadagno hFE minimo: 250. Corrente del collettore: 0.5A. Ic(impulso): 1A. Marcatura sulla cassa: 6C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23-3. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 6C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 6C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 6g. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.31W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 6g. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

C(in): 11pF. Costo): 2pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 450. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 0.1A. Marcatura sulla cassa: 1B. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-236AB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: SMD 1B. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1B. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 65V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1B. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 65V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1B. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 65V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SC-70. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1B. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 65V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Corrente del collettore: 0.1A. Marcatura sulla cassa: 8AC. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.33W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 250mV. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 600mV. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: SMD 8AC. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 1.5pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 220. Guadagno hFE minimo: 110. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 200mA. Marcatura sulla cassa: 1E. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.09V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Spec info: serigrafia/codice SMD 1E. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.33W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Spec info: serigrafia/codice SMD 1F

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1F. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1F. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: DUAL NPN & PNP. Guadagno hFE massimo: 450. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 200mA. Marcatura sulla cassa: 13. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-363 ( SC-88 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-363. Tipo di transistor: PNP & NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 6. Spec info: serigrafia/codice SMD 13. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SC-88. Custodia (standard JEDEC): SOT-363. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 13. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.22W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: coppia di transistor NPN e PNP

Costo): 4.5pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 250. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.225W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Spec info: serigrafia/codice SMD 1G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1g. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.33W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: serigrafia/codice SMD 1K

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1g. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1g. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1Ls. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 250 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.33W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1L. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SC-70. Custodia (standard JEDEC): SOT-323. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C