Transistor

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Amplificatori audio e applicazioni. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1.5A. Ic(impulso): 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126 plastic. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: da -55°C a +150°C. Vcbo: 45V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD139. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Dissipazione massima Ptot [W]: 12.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Corrente del collettore: 1.5A. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD140. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD139-10. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Dissipazione massima Ptot [W]: 12.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 80V. Corrente del collettore: 1A. Potenza: 10W. Alloggiamento: TO-126 FULLPACK

RoHS: sì. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-126. Costo): SOT-32. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1.5A. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD140-16. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1.5A. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126 plastic. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD140-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 80V. Corrente del collettore: 1.5A. Potenza: 12.5W. Alloggiamento: TO-126

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 1.5A. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126 plastic. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD140-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD140. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Dissipazione massima Ptot [W]: 12.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Frequenza di taglio ft [MHz]: 250. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD139. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD140-10. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Dissipazione massima Ptot [W]: 12.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP

Alloggiamento: TO-126. Marcatura del produttore: BD140-16. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Dissipazione massima Ptot [W]: 12.5W. Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Tensione collettore-emettitore VCEO: -80V. Corrente del collettore: -1.5A. Potenza: 12.5W. Frequenza massima: 50MHz. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 250. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD139-16. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 1.5A. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: da -55°C a +150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD139. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO126. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 375V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-225. Custodia (standard JEDEC): TO-225. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD179G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 3mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.03W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 125 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD237. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. Dissipazione massima Ptot [W]: 25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD238. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD238. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-225. Custodia (standard JEDEC): TO-225. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD237G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

RoHS: sì. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-126. Costo): SOT-32. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Applicazioni audio, lineari di potenza e di commutazione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD237. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-225. Custodia (standard JEDEC): TO-225. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD238G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP

Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Tensione collettore-emettitore VCEO: -80V. Corrente del collettore: -2A. Potenza: 25W. Frequenza massima: 3MHz. Alloggiamento: TO-126

Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-220. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Potenza: 30W. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD240C