Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

BD230

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1 - 9 0.53€ 0.65€
10 - 24 0.51€ 0.62€
25 - 49 0.48€ 0.59€
50 - 99 0.45€ 0.55€
100 - 249 0.44€ 0.54€
250 - 499 0.43€ 0.52€
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BD230. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 125 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 11:25.

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BD139

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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. C...
BD139
RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD139. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Dissipazione massima Ptot [W]: 12.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Corrente del collettore: 1.5A. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD140. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD139. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Dissipazione massima Ptot [W]: 12.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Corrente del collettore: 1.5A. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD140. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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BD140

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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. C...
BD140
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Quantità in magazzino : 234
BD135

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Corrente de...
BD135
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Quantità in magazzino : 913
BC212B

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Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: transistor PNP. Resistenza BE: -50V. C(in): -0.1A. Costo): 1W. T...
BC212B
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1N4007

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VRRM: 1000V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semi...
1N4007
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0.0314€ IVA incl.
(0.0257€ Iva esclusa)
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Quantità in magazzino : 832
TIP3055

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Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-247. Condizionamento: tubo di plastica. Materiale se...
TIP3055
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1.61€ IVA incl.
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Quantità in magazzino : 1012
BC560C

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Costo): 2.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: h...
BC560C
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BC560C
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Quantità in magazzino : 527
BC550C

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: hFE 420...800 (I...
BC550C
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Quantità in magazzino : 395
TIP142

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Costo): 60pF. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor D...
TIP142
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TIP142
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