Transistor

Corrente del collettore: 4A. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 45V. Potenza: 36W. Frequenza massima: 3MHz. Alloggiamento: TO-126. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 130. Guadagno hFE minimo: 30. Ic(impulso): 7A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD438. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Corrente del collettore: 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V

Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Tensione collettore-emettitore VCEO: -45V. Corrente del collettore: -4A. Potenza: 36W. Frequenza massima: 3MHz. Alloggiamento: TO-126. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 130. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 7A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD437. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Tensione collettore-emettitore VCEO: -45V. Corrente del collettore: -4A. Potenza: 36W. Frequenza massima: 3MHz. Alloggiamento: TO-126 FULLPACK

Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 130. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 7A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-32. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD440. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD440. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP

Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 80V. Corrente del collettore: 4A. Potenza: 36W. Frequenza massima: 3MHz. Alloggiamento: TO-126

Marcatura del produttore: BD441G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 36W. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 80V. Corrente del collettore: 4A. Potenza: 36W. Frequenza massima: 3MHz. Alloggiamento: TO-126. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD442. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 7A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD441. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: custodia isolata. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 12 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 20. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 1.5V

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 7 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 1500. Guadagno hFE minimo: 750. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 12A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms)

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD649. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. Dissipazione massima Ptot [W]: 62.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD652. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. Dissipazione massima Ptot [W]: 62.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD677. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD677A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-225. Custodia (standard JEDEC): TO-225. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD677AG. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD678. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-126. Costo): SOT-32. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE minimo: 750. Corrente del collettore: 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD677A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD679. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE minimo: 750. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Resistenza BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complementare (coppia) BD680A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

RoHS: sì. Resistenza B: sì. C(in): TO-126. Costo): SOT-32. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: hFE 750. Corrente del collettore: 4A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Resistenza BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complementare (coppia) BD679. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Corrente del collettore: 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)