BD646

BD646. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 7 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 1500. Guadagno hFE minimo: 750. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 12A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms). Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 13:25.