Transistor

Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE minimo: 1000. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-93. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BDV65C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BDV65BG. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 1000. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Spec info: transistor complementare (coppia) BDV64B

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BDW42G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 4 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 85W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BDW47G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 4 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 85W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SOT-93. Custodia (standard JEDEC): SOT-93. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BDW83C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-93. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Frequenza di taglio ft [MHz]: hFE 750 (@3V, 6A). Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1 MHz. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 750. Corrente del collettore: 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 7us. Tf(min): 0.9us. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BDW84C

Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1 MHz. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Numero di terminali: 3. Funzione: hFE 750 (@3V, 6A). Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BDW84D

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1 MHz. Funzione: hFE 750 (@3V, 6A). Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BDW83C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-93. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SOT-93. Custodia (standard JEDEC): SOT-93. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BDW84D. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1 MHz. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Numero di terminali: 3. Funzione: hFE 750 (@3V, 6A). Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BDW83D

Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220. Marcatura del produttore: BDW93C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 12A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 20 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 80W. Ic(impulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Tipo di transistor: transistor di potenza Darlington. Polarità: NPN. Tipo: transistor Darlington. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Potenza: 80W. Numero di terminali: 3. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Funzione: transistor complementare (coppia) BDW94CF. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Tipo di transistor: transistor di potenza Darlington. Polarità: NPN. Tipo: transistor Darlington. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Corrente del collettore: 12A. Potenza: 33W. Alloggiamento: TO-220FP

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BDW93C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 12A. Dissipazione massima Ptot [W]: 80W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: PNP Darlington Transistor. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BDW94C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 12A. Dissipazione massima Ptot [W]: 80W. Ic(impulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Numero di terminali: 3. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: transistor complementare (coppia) BDW93C. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Funzione: transistor complementare (coppia) BDW93CF. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Guadagno hFE massimo: 750. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 2.5V. Tipo di transistor: transistor di potenza Darlington. Polarità: NPN. Tipo: transistor Darlington. Diodo incorporato: sì. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Potenza: 70W. Frequenza massima: 20MHz. Numero di terminali: 3. Funzione: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: transistor complementare (coppia) BDX34C

Resistenza B: 10k Ohms. Resistenza BE: 150 Ohms. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Guadagno hFE massimo: 750. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. C(in): sì. Costo): -100V. Numero di terminali: 3. Funzione: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: transistor complementare (coppia) BDX33C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BDX34CG. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Dissipazione massima Ptot [W]: 70W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di transistor: transistor di potenza Darlington. Polarità: NPN. Tipo: transistor Darlington. Tensione collettore-emettitore VCEO: 80V. Corrente del collettore: 8A. Potenza: 20W. Frequenza massima: 20MHz. Alloggiamento: TO-220-F

Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Guadagno hFE massimo: +150°C. Guadagno hFE minimo: 750. Ic(impulso): 12A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor Darlington di potenza complementari. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Tipo di transistor: transistor di potenza Darlington. Polarità: NPN. Tipo: transistor Darlington. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Potenza: 60W. Frequenza massima: 20MHz. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: transistor complementare (coppia) BDX54C. Funzione: amplificatore audio. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Condizionamento: tubo di plastica. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Data di produzione: 2014/32. Guadagno hFE minimo: 750. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 12A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor Darlington di potenza complementari. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Resistenza B: transistor di potenza Darlington. Resistenza BE: transistor Darlington. C(in): -100V. Costo): -8A. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: transistor complementare (coppia) BDX53C. Unità di condizionamento: 50. Funzione: amplificatore audio. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Resistenza BE: R1 typ. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: Transistor Darlington di potenza complementari. Guadagno hFE minimo: 750. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Alloggiamento: TO-220. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 5V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BDX53F. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 7 MHz. Corrente del collettore: 16A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Funzione: hFE 1000. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BDX67C

Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 7 MHz. Corrente del collettore: 16A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Funzione: hFE 1000. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BDX67C