BDX53C

BDX53C. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Guadagno hFE massimo: +150°C. Guadagno hFE minimo: 750. Ic(impulso): 12A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor Darlington di potenza complementari. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Tipo di transistor: transistor di potenza Darlington. Polarità: NPN. Tipo: transistor Darlington. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Potenza: 60W. Frequenza massima: 20MHz. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: transistor complementare (coppia) BDX54C. Funzione: amplificatore audio. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 22:25.