Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 6.08€ | 7.42€ |
2 - 2 | 5.77€ | 7.04€ |
3 - 4 | 5.47€ | 6.67€ |
5 - 9 | 5.16€ | 6.30€ |
10 - 19 | 5.04€ | 6.15€ |
20 - 21 | 4.92€ | 6.00€ |
Qnéuantità | U.P | |
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1 - 1 | 6.08€ | 7.42€ |
2 - 2 | 5.77€ | 7.04€ |
3 - 4 | 5.47€ | 6.67€ |
5 - 9 | 5.16€ | 6.30€ |
10 - 19 | 5.04€ | 6.15€ |
20 - 21 | 4.92€ | 6.00€ |
BDV64C-POW. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE minimo: 1000. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-93. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BDV65C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 18:25.
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