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BDV64C-POW

BDV64C-POW
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Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 1 6.08€ 7.42€
2 - 2 5.77€ 7.04€
3 - 4 5.47€ 6.67€
5 - 9 5.16€ 6.30€
10 - 19 5.04€ 6.15€
20 - 21 4.92€ 6.00€
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Set da 1

BDV64C-POW. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE minimo: 1000. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-93. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BDV65C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 18:25.

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