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BDV65BG

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BDV65BG. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BDV65BG. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 1000. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Spec info: transistor complementare (coppia) BDV64B. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 18:25.

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Costo): 60pF. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor D...
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Costo): 60pF. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor Darlington di potenza complementare. Guadagno hFE massimo: 1000. Guadagno hFE minimo: 500. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Darlington monolitico. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Resistenza B: transistor di potenza Darlington. C(in): 100V. Numero di terminali: 3. Resistenza BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP147. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
TIP142
Costo): 60pF. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor Darlington di potenza complementare. Guadagno hFE massimo: 1000. Guadagno hFE minimo: 500. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Darlington monolitico. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Resistenza B: transistor di potenza Darlington. C(in): 100V. Numero di terminali: 3. Resistenza BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP147. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
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