Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 8A, TO-220, 160V - BDX54F

Transistor NPN, 8A, TO-220, 160V - BDX54F
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Transistor NPN, 8A, TO-220, 160V - BDX54F. Transistor NPN, 8A, TO-220, 160V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: R1 typ. Diodo CE: sì. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: Transistor Darlington di potenza complementari. Guadagno hFE minimo: 750. Ic(impulso): 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Spec info: transistor complementare (coppia) BDX53F. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 09:25.

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BDX54C

BDX54C

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 50V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custo...
BDX54C
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 50V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-220AB. Costo): TO-220AB. Diodo CE: sì. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: amplificatore audio. Data di produzione: 2014/32. Guadagno hFE minimo: 750. Ic(impulso): 12A. Nota: transistor complementare (coppia) BDX53C. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor Darlington di potenza complementari. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 50V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-220AB. Costo): TO-220AB. Diodo CE: sì. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: amplificatore audio. Data di produzione: 2014/32. Guadagno hFE minimo: 750. Ic(impulso): 12A. Nota: transistor complementare (coppia) BDX53C. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor Darlington di potenza complementari. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V
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Voltaggio bobina: 12VDC. Modalità di commutazione: 2x ON-ON. Materiale dei contatti: AgNi. Numero d...
405290120000
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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Cust...
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Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220. Custod...
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Transistor a canale N, 14A, 20A, 500uA, 0.064 Ohms, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V. ID (T=100°C): ...
BUK9575-55A
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