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BDX54F. Resistenza BE: R1 typ. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: Transistor Darlington di potenza complementari. Guadagno hFE minimo: 750. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Alloggiamento: TO-220. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 5V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BDX53F. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 18:25.

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Condizionamento: tubo di plastica. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. F...
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Condizionamento: tubo di plastica. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Data di produzione: 2014/32. Guadagno hFE minimo: 750. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 12A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor Darlington di potenza complementari. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Resistenza B: transistor di potenza Darlington. Resistenza BE: transistor Darlington. C(in): -100V. Costo): -8A. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: transistor complementare (coppia) BDX53C. Unità di condizionamento: 50. Funzione: amplificatore audio. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
BDX54C
Condizionamento: tubo di plastica. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Data di produzione: 2014/32. Guadagno hFE minimo: 750. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 12A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor Darlington di potenza complementari. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Resistenza B: transistor di potenza Darlington. Resistenza BE: transistor Darlington. C(in): -100V. Costo): -8A. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: transistor complementare (coppia) BDX53C. Unità di condizionamento: 50. Funzione: amplificatore audio. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
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