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Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V - BDX66C-SML

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V - BDX66C-SML
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Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V - BDX66C-SML. Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 7 MHz. Funzione: hFE 1000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Spec info: transistor complementare (coppia) BDX67C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Prodotto originale del produttore Semelab. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 08:25.

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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, TO-204AA, 120V, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Corrente collettore Ic [A], max.: 30A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ11015G. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Nota: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ11016. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, TO-204AA, 120V, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Corrente collettore Ic [A], max.: 30A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ11015G. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Nota: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ11016. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V
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