BDX66C-SML
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 7.49€ | 9.14€ |
| 2 - 2 | 7.11€ | 8.67€ |
| 3 - 4 | 6.74€ | 8.22€ |
| 5 - 9 | 6.37€ | 7.77€ |
| 10 - 19 | 6.22€ | 7.59€ |
| 20 - 29 | 6.07€ | 7.41€ |
| 30+ | 5.84€ | 7.12€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 7.49€ | 9.14€ |
| 2 - 2 | 7.11€ | 8.67€ |
| 3 - 4 | 6.74€ | 8.22€ |
| 5 - 9 | 6.37€ | 7.77€ |
| 10 - 19 | 6.22€ | 7.59€ |
| 20 - 29 | 6.07€ | 7.41€ |
| 30+ | 5.84€ | 7.12€ |
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BDX66C-SML. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 7 MHz. Corrente del collettore: 16A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Funzione: hFE 1000. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BDX67C. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 18:25.
Prodotti equivalenti :
MJ11015G
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Alloggiamento: saldatura PC...
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ11015G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Corrente collettore Ic [A], max.: 30A. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Nota: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ11016
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ11015G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Corrente collettore Ic [A], max.: 30A. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Nota: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ11016
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