Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
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1 - 9 | 0.64€ | 0.78€ |
10 - 24 | 0.61€ | 0.74€ |
25 - 49 | 0.57€ | 0.70€ |
50 - 70 | 0.54€ | 0.66€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.64€ | 0.78€ |
10 - 24 | 0.61€ | 0.74€ |
25 - 49 | 0.57€ | 0.70€ |
50 - 70 | 0.54€ | 0.66€ |
BCY59. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Guadagno hFE massimo: 1000. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 200A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.34W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.75V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 12:25.
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