Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.33€ | 1.62€ |
5 - 9 | 1.27€ | 1.55€ |
10 - 24 | 1.20€ | 1.46€ |
25 - 49 | 1.13€ | 1.38€ |
50 - 99 | 1.11€ | 1.35€ |
100 - 249 | 1.10€ | 1.34€ |
250 - 257 | 1.29€ | 1.57€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.33€ | 1.62€ |
5 - 9 | 1.27€ | 1.55€ |
10 - 24 | 1.20€ | 1.46€ |
25 - 49 | 1.13€ | 1.38€ |
50 - 99 | 1.11€ | 1.35€ |
100 - 249 | 1.10€ | 1.34€ |
250 - 257 | 1.29€ | 1.57€ |
BD244CG. Alloggiamento: TO-220. Resistenza B: transistor di potenza. Resistenza BE: -100V. C(in): -6A. Costo): 65W. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 6A. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD243C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.
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