BD335
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BD335. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 6A. Nota: >750. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Alloggiamento: SOT-82. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.
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Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE minimo: 750. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BD902
Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE minimo: 750. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BD902
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