Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

BD241C-ST

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50 - 99 0.52€ 0.63€
100 - 249 0.47€ 0.57€
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BD241C-ST. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 3A. Ic(impulso): 5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD242C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 22:25.

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TIP31C

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Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 24. Guadagno hFE...
TIP31C
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 24. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 3A. Ic(impulso): 5A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP32C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
TIP31C
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 24. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 3A. Ic(impulso): 5A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP32C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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